STW22NM60N

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-247-3
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
Date Sheet

Lagernummer 20

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-247-3
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Максимальная мощность рассеяния：125W Tc
Время отключения：74 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：16A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™ II
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：SINGLE
Основной номер части：STW22N
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：125W
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：220m Ω @ 8A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1330pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：44nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：38 ns
Непрерывный ток стока (ID)：16A
Пороговое напряжение：3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.22Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：64A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Ширина：5.15mm
Высота：20.15mm
Длина：15.75mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 20

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STW22NM60N STMicroelectronics
Запрос Со склада 20
STW23NM50N STMicroelectronics
Запрос Со склада 267
STW26NM60N STMicroelectronics
от$6.21798 Со склада 30000
STW24NM60N STMicroelectronics
от$6.34776 Со склада 10

Телефон

STW22NM60N