Изображение служит лишь для справки
STP14NF12
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STP14NF12 MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 120 V, 160 mohm, 10 V, 3 V
Date Sheet
Lagernummer 597
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:3
- Вес:4.535924g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальная мощность рассеяния:60W Tc
- Время отключения:32 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:4V @ 250μA
- Количество элементов:1
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:14A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Серия:STripFET™ II
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Основной номер части:STP14N
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:60W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:16 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:180m Ω @ 7A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:460pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:21nC @ 10V
- Время подъема:25ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):8 ns
- Непрерывный ток стока (ID):7A
- Пороговое напряжение:3V
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:120V
- Максимальный импульсный ток вывода:56A
- Рейтинг энергии лавины (Eas):60 mJ
- Ширина:4.6mm
- Длина:10.4mm
- Высота:15.75mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 597
Итого $0.00000










