STU8N65M5

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Date Sheet

Lagernummer 1926

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：7A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：70W Tc
Время отключения：50 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™ V
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：ULTRA-LOW RESISTANCE
Основной номер части：STU8N
Число контактов：3
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：70W
Время задержки включения：50 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：600m Ω @ 3.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：690pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
Время подъема：14ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：11 ns
Непрерывный ток стока (ID)：7A
Пороговое напряжение：4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Максимальный сливовой ток (ID)：7A
Сопротивление открытого канала-макс：0.6Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：650V
Максимальный импульсный ток вывода：28A
Высота：6.9mm
Длина：6.6mm
Ширина：2.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1926

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STU8N65M5 STMicroelectronics
Запрос Со склада 1926
IPU60R600C6BKMA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 172
STU11N65M2 STMicroelectronics
от$2.058696 Со склада 3000
STU10N60M2 STMicroelectronics
от$1.683191 Со склада 8

Телефон

STU8N65M5