Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
STB76NF80
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II
Date Sheet
Lagernummer 4000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：300W Tc
- Время отключения：66 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：STripFET™ II
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：9.5mOhm
- Форма вывода：GULL WING
- Основной номер части：STB76N
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：300W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：25 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11m Ω @ 40A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3700pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：160nC @ 10V
- Время подъема：100ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：30 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：80A
- Пороговое напряжение：3V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：80V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：700 mJ
- Номинальное Vgs：3 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 4000
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
