Изображение служит лишь для справки
STB34N65M5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 28200
- 1+: $7.46056
- 10+: $7.03826
- 100+: $6.63987
- 500+: $6.26403
- 1000+: $5.90946
Zwischensummenbetrag $7.46056
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:17 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:28A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:190W Tc
- Время отключения:59 ns
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:MDmesh™ V
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:110MOhm
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:STB34N
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:190W
- Время задержки включения:59 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:110m Ω @ 14A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2700pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:62.5nC @ 10V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Непрерывный ток стока (ID):28A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Напряжение пробоя стока к истоку:650V
- Высота:4.6mm
- Длина:10.4mm
- Ширина:9.35mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 28200
- 1+: $7.46056
- 10+: $7.03826
- 100+: $6.63987
- 500+: $6.26403
- 1000+: $5.90946
Итого $7.46056
аналогичные продукты










