FQU2N50BTU-WS

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
Date Sheet

Lagernummer 21

1+： $0.33042
10+： $0.31172
100+： $0.29408
500+： $0.27743
1000+： $0.26173

Zwischensummenbetrag $0.33042

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Вес：343.08mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta 30W Tc
Время отключения：10 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3.7V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Время задержки включения：6 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.3 Ω @ 800mA, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：230pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8nC @ 10V
Время подъема：25ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：20 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Максимальный импульсный ток вывода：6.4A
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 21

1+： $0.33042
10+： $0.31172
100+： $0.29408
500+： $0.27743
1000+： $0.26173

Итого $0.33042

аналогичные продукты

FQU2N50BTU-WS ON Semiconductor
от$0.3304232 Со склада 21
FQU2N60CTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 3579
STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics
от$1.979943 Со склада 2800
SSU1N50BTU ON Semiconductor
от$0.60342 Со склада 9000

Телефон

FQU2N50BTU-WS