Изображение служит лишь для справки
STB120N4F6
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 377
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:20 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Время отключения:40 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:4V @ 250μA
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:80A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:110W Tc
- Серия:Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:4MOhm
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):245
- Основной номер части:STB120N
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:110W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:20 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4m Ω @ 40A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3850pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:65nC @ 10V
- Время подъема:70ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):20 ns
- Непрерывный ток стока (ID):80A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:40V
- Ширина:9.35mm
- Высота:4.6mm
- Длина:10.4mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Корпусировка на излучение:No
- Без свинца:Lead Free
Со склада 377
Итого $0.00000
аналогичные продукты










