STD9NM50N

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
Date Sheet

Lagernummer 52580

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：45W Tc
Время отключения：45 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：MDmesh™ II
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：560mOhm
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STD9N
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：70W
Время задержки включения：7 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：790m Ω @ 2.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：570pF @ 50V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：14nC @ 10V
Время подъема：16ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：19 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：150 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 52580

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STD9NM50N STMicroelectronics
Запрос Со склада 52580
STD5NK50ZT4 STMicroelectronics
от$1.845248 Со склада 10000
FDD5N50NZTM ON Semiconductor
от$1.451217 Со склада 30000
FDD8N50NZTM ON Semiconductor
Запрос Со склада 30000
STD9NM60N STMicroelectronics
Запрос Со склада 15000

Телефон

STD9NM50N