IRF634B-FP001

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.1A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：74W Tc
Время отключения：100 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 weeks ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：74W
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450m Ω @ 4.05A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1000pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38nC @ 10V
Время подъема：75ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：65 ns
Непрерывный ток стока (ID)：8.1A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：250V
Максимальный импульсный ток вывода：32.4A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：200 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

аналогичные продукты

IRF634B-FP001 ON Semiconductor
Запрос Со склада 0
IRF630 STMicroelectronics
Запрос Со склада 10
FQP10N20CTSTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 797

Телефон

IRF634B-FP001