FQPF5N90

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F
Date Sheet

Lagernummer 510

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Количество контактов：3
Вес：2.27g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：51W Tc
Время отключения：65 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：2.3Ohm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：900V
Моментальный ток：3A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：51W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：28 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.3 Ω @ 1.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1550pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 10V
Время подъема：65ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：50 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：3A
Напряжение пробоя стока к истоку：900V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：660 mJ
Высота：9.19mm
Длина：10.16mm
Ширина：4.7mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 510

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FQPF5N90 ON Semiconductor
Запрос Со склада 510
FQPF6N80T ON Semiconductor
Запрос Со склада 38685

Телефон

FQPF5N90