STP80N6F6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE
Date Sheet

Lagernummer 1886

1+： $3.15797
10+： $2.97921
100+： $2.81058
500+： $2.65149
1000+： $2.50140

Zwischensummenbetrag $3.15797

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：110A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：120W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：5mOhm
Основной номер части：STP80N
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.8m Ω @ 50A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7480pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：122nC @ 10V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：110A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Высота：15.75mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1886

1+： $3.15797
10+： $2.97921
100+： $2.81058
500+： $2.65149
1000+： $2.50140

Итого $3.15797

аналогичные продукты

STP80N6F6 STMicroelectronics
от$3.157966 Со склада 1886
IRFB7540PBF Infineon Technologies
от$1.828891 Со склада 3000
IRFB7545PBF Infineon Technologies
от$1.315848 Со склада 4000
BUK753R5-60E,127 NXP USA Inc.
Запрос Со склада 0

Телефон

STP80N6F6