STU7N65M2

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
STMICROELECTRONICS STU7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet

Lagernummer 6000

1+： $1.74545
10+： $1.64666
100+： $1.55345
500+： $1.46552
1000+： $1.38256

Zwischensummenbetrag $1.74545

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Вес：3.949996g
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Время отключения：30 ns
Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A Tc
Серия：MDmesh™
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：980mOhm
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STU7N
Время задержки включения：8 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.15 Ω @ 2.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：270pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9nC @ 10V
Время подъема：20ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：20 ns
Непрерывный ток стока (ID)：5A
Пороговое напряжение：3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：650V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
REACH SVHC：No SVHC

Со склада 6000

1+： $1.74545
10+： $1.64666
100+： $1.55345
500+： $1.46552
1000+： $1.38256

Итого $1.74545

аналогичные продукты

STU7N65M2 STMicroelectronics
от$1.745455 Со склада 6000
STU9N65M2 STMicroelectronics
от$1.643157 Со склада 3000
STU6N65M2 STMicroelectronics
от$1.299349 Со склада 2950
STU9HN65M2 STMicroelectronics
от$1.152961 Со склада 32363
IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies
от$0.8584857 Со склада 381

Телефон

STU7N65M2