STB5NK52ZD-1

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK
Date Sheet

Lagernummer 688

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.4A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：70W Tc
Время отключения：23.1 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 50μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：SuperMESH™
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STB5N
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：70W
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 2.2A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：529pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16.9nC @ 10V
Время подъема：13.6ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4.4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：520V
Максимальный импульсный ток вывода：17.6A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：170 mJ
REACH SVHC：unknown
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 688

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STB5NK52ZD-1 STMicroelectronics
Запрос Со склада 688
STI6N62K3 STMicroelectronics
Запрос Со склада 1000
STB4NK60Z-1 STMicroelectronics
Запрос Со склада 575

Телефон

STB5NK52ZD-1