FQPF65N06

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F
Date Sheet

Lagernummer 442

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Количество контактов：3
Вес：2.27g
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：56W Tc
Время отключения：90 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：40A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Моментальный ток：40A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：56W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16m Ω @ 20A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2410pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：65nC @ 10V
Время подъема：160ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：105 ns
Непрерывный ток стока (ID)：40A
Пороговое напряжение：4V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Двухпитание напряжения：60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：645 mJ
Номинальное Vgs：4 V
Высота：9.19mm
Длина：10.16mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 442

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FQPF65N06 ON Semiconductor
Запрос Со склада 442
IRFI1010NPBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 9
STP55NF06FP STMicroelectronics
Запрос Со склада 8

Телефон

FQPF65N06