FQP9N30

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 15399

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：9 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：98W Tc
Время отключения：27 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：300V
Моментальный ток：9A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：98W
Время задержки включения：16 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450m Ω @ 4.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：750pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22nC @ 10V
Время подъема：120ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：48 ns
Непрерывный ток стока (ID)：9A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：9A
Сопротивление открытого канала-макс：0.45Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：300V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：420 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 15399

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FQP9N30 ON Semiconductor
Запрос Со склада 15399
FQP9P25 ON Semiconductor
от$2.274806 Со склада 26000
FQP14N30 ON Semiconductor
от$4.175641 Со склада 20

Телефон

FQP9N30