Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
STP80N10F7
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet
Lagernummer 38685
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：3
- Вес：329.988449mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：2
- Максимальная мощность рассеяния：110W Tc
- Время отключения：36 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.5V @ 250μA
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：DeepGATE™, STripFET™ VII
- Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：ULTRA LOW-ON RESISTANCE
- Основной номер части：STP80N
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：110W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：19 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10m Ω @ 40A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3100pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45nC @ 10V
- Время подъема：32ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：13 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：80A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：100V
- Высота：4.6mm
- Длина：10.4mm
- Ширина：15.75mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 38685
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
