Изображение служит лишь для справки
STD7N80K5
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 775896
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:17 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Время отключения:23.7 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:5V @ 100μA
- Максимальная мощность рассеяния:110W Tc
- Количество элементов:1
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Серия:SuperMESH5™
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:1.2Ohm
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:STD7
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:110W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:11.3 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.2 Ω @ 3A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:360pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:13.4nC @ 10V
- Время подъема:8.3ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):800V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Время падения (тип):20.2 ns
- Непрерывный ток стока (ID):6A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Максимальный сливовой ток (ID):6A
- Максимальный импульсный ток вывода:24A
- Минимальная напряжённость разрушения:800V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):88 mJ
- Ширина:6.2mm
- Высота:2.4mm
- Длина:6.6mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 775896
Итого $0.00000










