Изображение служит лишь для справки
STB40N60M2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 63259
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:26 Weeks
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вид крепления:Surface Mount
- Монтаж:Surface Mount
- Покрытие контактов:Tin
- Вес:3.949996g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Время отключения:96 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:4V @ 250μA
- Максимальная мощность рассеяния:250W Tc
- Количество элементов:1
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:34A Tc
- Серия:MDmesh™ II Plus
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STB40N
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Каналов количество:1
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:20.5 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:88m Ω @ 17A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2500pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:57nC @ 10V
- Время подъема:13.5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):600V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Время падения (тип):11 ns
- Непрерывный ток стока (ID):34A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.088Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):500 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 63259
Итого $0.00000
аналогичные продукты










