STD6N65M2

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STMICROELECTRONICS STD6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
Date Sheet

Lagernummer 7500

1+： $1.35431
10+： $1.27765
100+： $1.20533
500+： $1.13710
1000+： $1.07274

Zwischensummenbetrag $1.35431

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：3.949996g
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：60W Tc
Время отключения：6.5 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：MDmesh™
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STD6N
Каналов количество：1
Время задержки включения：19 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.35 Ω @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：226pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.8nC @ 10V
Время подъема：7ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：20 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Пороговое напряжение：3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：650V
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 7500

1+： $1.35431
10+： $1.27765
100+： $1.20533
500+： $1.13710
1000+： $1.07274

Итого $1.35431

аналогичные продукты

STD6N65M2 STMicroelectronics
от$1.354308 Со склада 7500
IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 360000
IPD65R950C6ATMA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 88888
STD7N65M2 STMicroelectronics
от$1.595037 Со склада 30
STD9N65M2 STMicroelectronics
Запрос Со склада 7500

Телефон

STD6N65M2