STR2N2VH5

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23
Date Sheet

Lagernummer 3000

1+： $1.16171
10+： $1.09595
100+： $1.03392
500+： $0.97539
1000+： $0.92018

Zwischensummenbetrag $1.16171

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：350mW Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Серия：STripFET™ V
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：30mOhm
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STR2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：350mW
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30m Ω @ 2A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：700mV @ 250μA (Min)
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：367pF @ 16V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.6nC @ 4.5V
Угол настройки (макс.)：±8V
Непрерывный ток стока (ID)：2.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Высота：1.3mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.75mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3000

1+： $1.16171
10+： $1.09595
100+： $1.03392
500+： $0.97539
1000+： $0.92018

Итого $1.16171

аналогичные продукты

STR2N2VH5 STMicroelectronics
от$1.16171 Со склада 3000
FDN304P ON Semiconductor
от$0.742734 Со склада 60000
FDN335N ON Semiconductor
от$0.568823 Со склада 494220
BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies
от$0.380847 Со склада 21615

Телефон

STR2N2VH5