STD96N3LLH6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 13196

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：70W Tc
Время отключения：24.5 ns
Рабочая температура：175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：DeepGATE™, STripFET™ VI
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：4.2MOhm
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Основной номер части：STD96
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：70W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：19 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.2m Ω @ 40A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 4.5V
Время подъема：91ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：23.4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：80A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：150 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 13196

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STD96N3LLH6 STMicroelectronics
Запрос Со склада 13196
FDD8880 ON Semiconductor
от$1.161872 Со склада 1899
FDD050N03B ON Semiconductor
Запрос Со склада 5320
STD86N3LH5 STMicroelectronics
Запрос Со склада 21100
NTD85N02RT4G ON Semiconductor
Запрос Со склада 400

Телефон

STD96N3LLH6