STT6N3LLH6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
SOT-23-6
MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
Date Sheet

Lagernummer 202

1+： $0.66917
10+： $0.63129
100+： $0.59555
500+： $0.56184
1000+： $0.53004

Zwischensummenbetrag $0.66917

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：20 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6
Количество контактов：6
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния：1.6W Tc
Время отключения：9.4 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1V @ 250μA
Серия：DeepGATE™, STripFET™ VI
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Основной номер части：STT6N
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.6W
Время задержки включения：4.8 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：25m Ω @ 3A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：283pF @ 24V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.6nC @ 4.5V
Время подъема：11.2ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：5.4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：6A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Ширина：1.75mm
Высота：1.3mm
Длина：3.05mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 202

1+： $0.66917
10+： $0.63129
100+： $0.59555
500+： $0.56184
1000+： $0.53004

Итого $0.66917

аналогичные продукты

STT6N3LLH6 STMicroelectronics
от$0.669165 Со склада 202
FDC8886 ON Semiconductor
от$0.563762 Со склада 2231
FDC855N ON Semiconductor
от$0.879439 Со склада 23040
FDC655BN ON Semiconductor
от$0.59671 Со склада 10000
DMN3026LVT-7 Diodes Incorporated
от$0.389665 Со склада 80873

Телефон

STT6N3LLH6