FDD3N50NZTM

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; 40W; DPAK; UniFET™
Date Sheet

Lagernummer 32365

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2.5A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：40W Tc
Время отключения：26 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：UniFET-II™
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：40W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.5 Ω @ 1.25A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：280pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8nC @ 10V
Время подъема：15ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：500V
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：17 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Минимальная напряжённость разрушения：500V
Высота：2.39mm
Длина：6.73mm
Ширина：6.22mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 32365

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FDD3N50NZTM ON Semiconductor
Запрос Со склада 32365
FDD5N50UTM-WS ON Semiconductor
от$1.141376 Со склада 1050
STD4NK50ZT4 STMicroelectronics
от$1.559645 Со склада 2520

Телефон

FDD3N50NZTM