STP33N60M2

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Date Sheet

Lagernummer 10800

1+： $3.82851
10+： $3.61180
100+： $3.40736
500+： $3.21449
1000+： $3.03254

Zwischensummenbetrag $3.82851

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Вес：329.988449mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：26A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：190W Tc
Время отключения：109 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™ II Plus
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Основной номер части：STP33N
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：190W
Время задержки включения：16 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125m Ω @ 13A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1781pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45.5nC @ 10V
Время подъема：9.6ns
Угол настройки (макс.)：±25V
Время падения (тип)：9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：26A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 10800

1+： $3.82851
10+： $3.61180
100+： $3.40736
500+： $3.21449
1000+： $3.03254

Итого $3.82851

аналогичные продукты

STP33N60M2 STMicroelectronics
от$3.82851 Со склада 10800
IPA60R125P6XKSA1 Infineon Technologies
от$3.343801 Со склада 10000
STP28N60M2 STMicroelectronics
Запрос Со склада 20000
STF33N60M2 STMicroelectronics
от$3.648669 Со склада 229
STF28N60M2 STMicroelectronics
от$3.324023 Со склада 2000

Телефон

STP33N60M2