STI40N65M2

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK
Date Sheet

Lagernummer 18000

1+： $4.19537
10+： $3.95790
100+： $3.73386
500+： $3.52251
1000+： $3.32313

Zwischensummenbetrag $4.19537

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Количество контактов：3
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：32A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：250W Tc
Время отключения：96.5 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™ M2
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STI40N
Конфигурация элемента：Single
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：99m Ω @ 16A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2355pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：56.5nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
Угол настройки (макс.)：±25V
Непрерывный ток стока (ID)：32A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Высота：9.35mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 18000

1+： $4.19537
10+： $3.95790
100+： $3.73386
500+： $3.52251
1000+： $3.32313

Итого $4.19537

аналогичные продукты

STI40N65M2 STMicroelectronics
от$4.195369 Со склада 18000
STI33N65M2 STMicroelectronics
от$4.1138 Со склада 1000
STFI34N65M5 STMicroelectronics
от$4.2065586 Со склада 1158
STI33N60M2 STMicroelectronics
от$1.507052 Со склада 10
IPI65R099C6XKSA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 344

Телефон

STI40N65M2