FDA28N50

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-3P-3, SC-65-3
MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
Date Sheet

Lagernummer 3600

1+： $6.34212
10+： $5.98313
100+： $5.64446
500+： $5.32496
1000+： $5.02355

Zwischensummenbetrag $6.34212

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：9 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-3P-3, SC-65-3
Количество контактов：2
Вес：6.401g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：28A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：310W Tc
Время отключения：210 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：UniFET™
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：155MOhm
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：310W
Время задержки включения：56 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：155m Ω @ 14A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5140pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：105nC @ 10V
Время подъема：126ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：110 ns
Непрерывный ток стока (ID)：28A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Высота：20.1mm
Длина：15.8mm
Ширина：5mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3600

1+： $6.34212
10+： $5.98313
100+： $5.64446
500+： $5.32496
1000+： $5.02355

Итого $6.34212

аналогичные продукты

FDA28N50 ON Semiconductor
от$6.342116 Со склада 3600
FDA28N50F ON Semiconductor
от$6.034796 Со склада 4889
FQA30N40 ON Semiconductor
от$1.894812 Со склада 1080
FQA28N50 ON Semiconductor
от$4.822601 Со склада 999999

Телефон

FDA28N50