FDP26N40

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 400V 26A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 15000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：26A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：265W Tc
Время отключения：115 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：UniFET™
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：160MOhm
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：265W
Время задержки включения：45 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：160m Ω @ 13A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3185pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：60nC @ 10V
Время подъема：100ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：66 ns
Непрерывный ток стока (ID)：26A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：400V
Высота：15.38mm
Длина：10.1mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 15000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FDP26N40 ON Semiconductor
Запрос Со склада 15000
FDP20N50F ON Semiconductor
от$4.163383 Со склада 3000
FDP22N50N ON Semiconductor
от$3.964693 Со склада 40
FDP24N40 ON Semiconductor
от$6.235758 Со склада 36688
IPP50R140CPXKSA1 Infineon Technologies
от$4.334399 Со склада 756

Телефон

FDP26N40