FDA20N50-F109

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-3P-3, SC-65-3
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
Date Sheet

Lagernummer 49

1+： $1.48695
10+： $1.40278
100+： $1.32338
500+： $1.24847
1000+： $1.17781

Zwischensummenbetrag $1.48695

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-3P-3, SC-65-3
Количество контактов：3
Вес：6.401g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：22A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：280W Tc
Время отключения：100 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：UniFET™
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Дополнительная Характеристика：FAST SWITCHING
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：280W
Время задержки включения：95 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：230m Ω @ 11A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3120pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：59.5nC @ 10V
Время подъема：375ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：105 ns
Непрерывный ток стока (ID)：22A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Максимальный импульсный ток вывода：88A
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 49

1+： $1.48695
10+： $1.40278
100+： $1.32338
500+： $1.24847
1000+： $1.17781

Итого $1.48695

аналогичные продукты

FDA20N50-F109 ON Semiconductor
от$1.486952 Со склада 49
FDP20N50 ON Semiconductor
от$2.752802 Со склада 80000
FDA24N50F ON Semiconductor
от$5.010801 Со склада 7200

Телефон

FDA20N50-F109