STW33N60DM2

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-247-3
STMICROELECTRONICS STW33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet

Lagernummer 120000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：17 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：24A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Максимальная мощность рассеяния：190W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™ DM2
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STW33N
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：130m Ω @ 12A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1870pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：43nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±25V
Непрерывный ток стока (ID)：24A
Пороговое напряжение：4V
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 120000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STW33N60DM2 STMicroelectronics
Запрос Со склада 120000
STW33N60M2 STMicroelectronics
от$4.546953 Со склада 9000
FCH125N60E ON Semiconductor
от$3.592495 Со склада 38658
STW35N60DM2 STMicroelectronics
от$4.980199 Со склада 9000
STW28N60DM2 STMicroelectronics
от$7.4501 Со склада 1288

Телефон

STW33N60DM2