Изображение служит лишь для справки

STV200N55F3

Lagernummer 265

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Монтаж:Surface Mount
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
  • Количество контактов:10
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:200A Tc
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Количество элементов:1
  • Максимальная мощность рассеяния:300W Tc
  • Время отключения:110 ns
  • Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Серия:STripFET™
  • Код JESD-609:e3
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:10
  • Код ECCN:EAR99
  • Сопротивление:2.5MOhm
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):250
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Основной номер части:STV200
  • Число контактов:10
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Распад мощности:300W
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.5m Ω @ 75A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6800pF @ 25V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:100nC @ 10V
  • Время подъема:150ns
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Время падения (тип):50 ns
  • Непрерывный ток стока (ID):200A
  • Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
  • Напряжение пробоя стока к истоку:55V
  • Максимальный импульсный ток вывода:800A
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 265

Итого $0.00000

аналогичные продукты