Изображение служит лишь для справки
STV200N55F3
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Date Sheet
Lagernummer 265
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Количество контактов:10
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:200A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:300W Tc
- Время отключения:110 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:STripFET™
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:10
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:2.5MOhm
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):250
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:STV200
- Число контактов:10
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:300W
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.5m Ω @ 75A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6800pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:100nC @ 10V
- Время подъема:150ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):50 ns
- Непрерывный ток стока (ID):200A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:55V
- Максимальный импульсный ток вывода:800A
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 265
Итого $0.00000
аналогичные продукты










