FDMT800120DC

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-PowerVDFN
MOSFET N-CH 120V 20A/129A
Date Sheet

Lagernummer 133

1+： $6.18329
10+： $5.83330
100+： $5.50311
500+： $5.19161
1000+： $4.89775

Zwischensummenbetrag $6.18329

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя：20 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Количество контактов：8
Вес：248.52072mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A Ta 129A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Максимальная мощность рассеяния：3.2W Ta 156W Tc
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Dual Cool™, PowerTrench®
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация элемента：Single
Время задержки включения：29 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.14m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7850pF @ 60V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：107nC @ 10V
Время подъема：18ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：120V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：9.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：129A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 133

1+： $6.18329
10+： $5.83330
100+： $5.50311
500+： $5.19161
1000+： $4.89775

Итого $6.18329

аналогичные продукты

FDMT800120DC ON Semiconductor
от$6.183294 Со склада 133
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies
от$2.442441 Со склада 90000
FDMT800100DC ON Semiconductor
от$8.035032 Со склада 3000
STH150N10F7-2 STMicroelectronics
от$3.666067 Со склада 100000
IPB120N10S403ATMA1 Infineon Technologies
от$3.6105813 Со склада 1380

Телефон

FDMT800120DC