FCPF13N60NT

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3 Full Pack
MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
Date Sheet

Lagernummer 1160

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
Количество контактов：3
Вес：2.27g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Время отключения：45 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Максимальная мощность рассеяния：33.8W Tc
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2004
Серия：SuperMOS™
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：33.8W
Сокетная связка：ISOLATED
Время задержки включения：14.5 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：258m Ω @ 6.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1765pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：39.5nC @ 10V
Время подъема：10.6ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：9.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：13A
Пороговое напряжение：2V
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Сопротивление открытого канала-макс：0.258Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Высота：15.9mm
Длина：10.16mm
Ширина：4.7mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1160

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FCPF13N60NT ON Semiconductor
Запрос Со склада 1160
FCPF11N60NT ON Semiconductor
Запрос Со склада 65252
STF22NM60N STMicroelectronics
Запрос Со склада 5000
FCPF16N60NT ON Semiconductor
Запрос Со склада 50

Телефон

FCPF13N60NT