STFI15N60M2-EP

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-262-3 Full Pack, I2Pak
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
Date Sheet

Lagernummer 1811

1+： $2.20167
10+： $2.07705
100+： $1.95948
500+： $1.84857
1000+： $1.74393

Zwischensummenbetrag $2.20167

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-262-3 Full Pack, I2Pak
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：25W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：MDmesh™ M2
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：SINGLE
Основной номер части：STFI15N
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：ISOLATED
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：378m Ω @ 5.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：590pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±25V
Непрерывный ток стока (ID)：11A
Код JEDEC-95：TO-281
Сопротивление открытого канала-макс：0.378Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：44A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：125 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1811

1+： $2.20167
10+： $2.07705
100+： $1.95948
500+： $1.84857
1000+： $1.74393

Итого $2.20167

аналогичные продукты

STFI15N60M2-EP STMicroelectronics
от$2.2016727 Со склада 1811
IPI60R280C6XKSA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 8000
IPI60R299CPXKSA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 190
IPI65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 763
STFI12N60M2 STMicroelectronics
от$1.4887674 Со склада 922

Телефон

STFI15N60M2-EP