STL100N6LF6

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-PowerVDFN
MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
Date Sheet

Lagernummer 5213

1+： $3.66342
10+： $3.45605
100+： $3.26043
500+： $3.07588
1000+： $2.90177

Zwischensummenbetrag $3.66342

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：100A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
Максимальная мощность рассеяния：4.8W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：DeepGATE™, STripFET™ VI
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Положение терминала：DUAL
Основной номер части：STL100
Код JESD-30：R-PDSO-N5
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：80W
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.5m Ω @ 11A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8900pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：130nC @ 10V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：100A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：22A
Сопротивление открытого канала-макс：0.0072Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 5213

1+： $3.66342
10+： $3.45605
100+： $3.26043
500+： $3.07588
1000+： $2.90177

Итого $3.66342

аналогичные продукты

STL100N6LF6 STMicroelectronics
от$3.663417 Со склада 5213
AUIRFS3306TRL Infineon Technologies
от$2.614086 Со склада 9000
IRFS3306TRLPBF Infineon Technologies
от$3.272509 Со склада 36000
IRF7580MTRPBF Infineon Technologies
от$1.354453 Со склада 4799

Телефон

STL100N6LF6