Изображение служит лишь для справки
FQPF630
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F
Date Sheet
Lagernummer 843
- 1+: $1.64785
- 10+: $1.55457
- 100+: $1.46658
- 500+: $1.38356
- 1000+: $1.30525
Zwischensummenbetrag $1.64785
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
- Вид крепления:Through Hole
- Монтаж:Through Hole
- Количество контактов:3
- Вес:2.27g
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальная мощность рассеяния:38W Tc
- Время отключения:47 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:4V @ 250μA
- Количество элементов:1
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6.3A Tc
- Серия:QFET®
- Опубликовано:2000
- Пакетирование:Tube
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:200V
- Моментальный ток:6.3A
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:38W
- Сокетная связка:ISOLATED
- Время задержки включения:8 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:400m Ω @ 3.15A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:550pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:25nC @ 10V
- Время подъема:75ns
- Угол настройки (макс.):±25V
- Время падения (тип):64 ns
- Непрерывный ток стока (ID):6.3A
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.4Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:200V
- Максимальный импульсный ток вывода:25.2A
- Ширина:4.7mm
- Длина:10.16mm
- Высота:9.19mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free










