FCD5N60TM-WS

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 28000

1+： $1.64407
10+： $1.55101
100+： $1.46321
500+： $1.38039
1000+： $1.30226

Zwischensummenbetrag $1.64407

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Вес：260.37mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：54W Tc
Время отключения：47 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：SuperFET™
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Основной номер части：FCD5N60
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：54W
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：950m Ω @ 2.3A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：600pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 10V
Время подъема：40ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：22 ns
Непрерывный ток стока (ID)：4.6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 28000

1+： $1.64407
10+： $1.55101
100+： $1.46321
500+： $1.38039
1000+： $1.30226

Итого $1.64407

аналогичные продукты

FCD5N60TM-WS ON Semiconductor
от$1.644067 Со склада 28000
STD7NM60N STMicroelectronics
от$2.195471 Со склада 5000
STD7N60M2 STMicroelectronics
от$1.486265 Со склада 50000
FCD4N60TM ON Semiconductor
Запрос Со склада 10000
STD6NK50ZT4 STMicroelectronics
Запрос Со склада 15000

Телефон

FCD5N60TM-WS