RFD3055LE

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail
Date Sheet

Lagernummer 30

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Количество контактов：3
Вес：343.08mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：38W Tc
Время отключения：22 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2002
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：107mOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Моментальный ток：11A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：38W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：8 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：107m Ω @ 8A, 5V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：350pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11.3nC @ 10V
Время подъема：105ns
Угол настройки (макс.)：±16V
Время падения (тип)：39 ns
Непрерывный ток стока (ID)：11A
Пороговое напряжение：3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Время восстановления：66 ns
Номинальное Vgs：3 V
Высота：6.3mm
Длина：6.8mm
Ширина：2.5mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 30

Итого $0.00000

аналогичные продукты

RFD3055LE ON Semiconductor
Запрос Со склада 30
FQU13N06LTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 5
FQU13N06LTU-WS ON Semiconductor
от$1.1046474 Со склада 19478

Телефон

RFD3055LE