FCB36N60NTM

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 5028

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Вес：1.762g
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：36A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：312W Tc
Время отключения：94 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：SupreMOS™
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：90MOhm
Основной номер части：FCB36N60
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：312W
Время задержки включения：23 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：90m Ω @ 18A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4785pF @ 100V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：112nC @ 10V
Время подъема：22ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：4 ns
Непрерывный ток стока (ID)：36A
Пороговое напряжение：2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：600V
Высота：4.83mm
Длина：10.67mm
Ширина：11.33mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5028

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FCB36N60NTM ON Semiconductor
Запрос Со склада 5028
STB42N65M5 STMicroelectronics
от$8.990607 Со склада 2500
STB45N65M5 STMicroelectronics
от$10.199059 Со склада 6
STB36NM60ND STMicroelectronics
от$6.644142 Со склада 2000

Телефон

FCB36N60NTM