Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
IRLHS6376TR2PBF
-
Infineon Technologies
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 6-VDFN Exposed Pad
- MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Date Sheet
Lagernummer 9
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-VDFN Exposed Pad
- Количество контактов：6
- Поставщик упаковки устройства：6-PQFN (2x2)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.6A
- Время отключения：11 ns
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Сопротивление：63MOhm
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：1.5W
- Основной номер части：IRLHS6376
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：6.6W
- Время задержки включения：4.4 ns
- Мощность - Макс：1.5W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：63mOhm @ 3.4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.1V @ 10μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：270pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2.8nC @ 4.5V
- Время подъема：11ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：9.4 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3.6A
- Пороговое напряжение：800mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Входной ёмкости：270pF
- Время восстановления：12 ns
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Сопротивление стока к истоку：63mOhm
- Rds на макс.：63 mΩ
- Номинальное Vgs：800 mV
- Высота：950μm
- Длина：2.1mm
- Ширина：2.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 9
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
