FDW2506P

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-TSSO
Date Sheet

Lagernummer 100

1+： $1.03564
10+： $0.97702
100+： $0.92172
500+： $0.86954
1000+： $0.82033

Zwischensummenbetrag $1.03564

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Количество контактов：8
Поставщик упаковки устройства：8-TSSOP
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.3A
Количество элементов：2
Время отключения：75 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2000
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
Максимальная потеря мощности：1W
Моментальный ток：-5.3A
Распад мощности：1W
Время задержки включения：13 ns
Мощность - Макс：600mW
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22mOhm @ 5.3A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1015pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：34nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Непрерывный ток стока (ID)：5.3A
Пороговое напряжение：800mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
Входной ёмкости：1.015nF
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Сопротивление стока к истоку：22mOhm
Rds на макс.：22 mΩ
Высота：1mm
Длина：3mm
Ширина：4.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 100

1+： $1.03564
10+： $0.97702
100+： $0.92172
500+： $0.86954
1000+： $0.82033

Итого $1.03564

аналогичные продукты

FDW2506P ON Semiconductor
от$1.035642 Со склада 100
FDW2503N ON Semiconductor
от$0.5602905 Со склада 5686
FDW2521C ON Semiconductor
Запрос Со склада 233
FDW2501N ON Semiconductor
от$1.3158747 Со склада 340148

Телефон

FDW2506P