FDS4935

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：48 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：ESD PROTECTION
Ток постоянного напряжения - номинальный：-30V
Максимальная потеря мощности：900mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：-7A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус：Not Qualified
Напряжение：30V
Текущий：7A
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：23m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1233pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：21nC @ 5V
Время подъема：10ns
Время падения (тип)：25 ns
Непрерывный ток стока (ID)：7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：25V
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

FDS4935 ON Semiconductor
Запрос Со склада 3000
FDS4935A ON Semiconductor
от$1.26754 Со склада 3000
FDS8858CZ ON Semiconductor
от$1.18826 Со склада 2500
IRF9362TRPBF Infineon Technologies
от$1.127293 Со склада 917

Телефон

FDS4935