FDMS86202

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
8-PowerTDFN
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 64A, 7.2mO
Date Sheet

Lagernummer 190

1+： $4.15567
10+： $3.92044
100+： $3.69853
500+： $3.48918
1000+： $3.29168

Zwischensummenbetrag $4.15567

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Вес：56.5mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Максимальная мощность рассеяния：2.7W Ta 156W Tc
Время отключения：27 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2017
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Время задержки включения：21 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.2m Ω @ 13.5A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4250pF @ 60V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：64nC @ 10V
Время подъема：6ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：13.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：40A
Напряжение пробоя стока к истоку：120V
Высота：1.05mm
Длина：5.1mm
Ширина：6.25mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 190

1+： $4.15567
10+： $3.92044
100+： $3.69853
500+： $3.48918
1000+： $3.29168

Итого $4.15567

аналогичные продукты

FDMS86202 ON Semiconductor
от$4.155671 Со склада 190
BSC060N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
от$2.171049 Со склада 5000
FDMS86101DC ON Semiconductor
от$4.231101 Со склада 147791
FDMS86101 ON Semiconductor
от$2.425726 Со склада 4301
BSC046N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Запрос Со склада 5000

Телефон

FDMS86202