STP80NF70

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-220-3
MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB
Date Sheet

Lagernummer 36805

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Время отключения：90 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：98A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：190W Tc
Серия：STripFET™ II
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：STP80N
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：17 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.8m Ω @ 40A, 10V
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2550pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：75nC @ 10V
Время подъема：60ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：68V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：75 ns
Непрерывный ток стока (ID)：98A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0098Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：68V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：700 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
REACH SVHC：not_compliant

Со склада 36805

Итого $0.00000

аналогичные продукты

STP80NF70 STMicroelectronics
Запрос Со склада 36805
IPP80N06S407AKSA2 Infineon Technologies
Запрос Со склада 15000
IRFB3507PBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 262

Телефон

STP80NF70