Изображение служит лишь для справки

FDS6900AS

Lagernummer 360000

  • 1+: $1.56131
  • 10+: $1.47294
  • 100+: $1.38956
  • 500+: $1.31091
  • 1000+: $1.23671

Zwischensummenbetrag $1.56131

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
  • Срок поставки от производителя:18 Weeks
  • Покрытие контактов:Tin
  • Монтаж:Surface Mount
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
  • Количество контактов:8
  • Вес:187mg
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6.9A 8.2A
  • Количество элементов:2
  • Время отключения:23 ns
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Серия:PowerTrench®, SyncFET™
  • Опубликовано:2005
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:8
  • Завершение:SMD/SMT
  • Код ECCN:EAR99
  • Сопротивление:27MOhm
  • Ток постоянного напряжения - номинальный:30V
  • Максимальная потеря мощности:2W
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Моментальный ток:8.2A
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация элемента:Dual
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Распад мощности:2W
  • Мощность - Макс:900mW
  • Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:27m Ω @ 6.9A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:600pF @ 15V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:15nC @ 10V
  • Время подъема:4ns
  • Время падения (тип):3 ns
  • Непрерывный ток стока (ID):8.2A
  • Пороговое напряжение:1.9V
  • Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
  • Максимальный сливовой ток (ID):6.9A
  • Напряжение пробоя стока к истоку:30V
  • Двухпитание напряжения:30V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Характеристика ТРП:Logic Level Gate
  • Номинальное Vgs:1.9 V
  • Высота:1.5mm
  • Длина:5mm
  • Ширина:3.99mm
  • REACH SVHC:No SVHC
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 360000

  • 1+: $1.56131
  • 10+: $1.47294
  • 100+: $1.38956
  • 500+: $1.31091
  • 1000+: $1.23671

Итого $1.56131

аналогичные продукты

  • FDS6900AS ON Semiconductor

    от$1.561314 Со склада 360000

  • IRF8313TRPBF Infineon Technologies

    от$0.513483 Со склада 20000

  • FDS6982AS ON Semiconductor

    Запрос Со склада 6830

  • FDS6612A ON Semiconductor

    от$1.146561 Со склада 3000

  • FDS8884 ON Semiconductor

    от$0.881238 Со склада 494220