Изображение служит лишь для справки
FDS6900AS
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET Dual NCh PowerTrench
Date Sheet
Lagernummer 360000
- 1+: $1.56131
- 10+: $1.47294
- 100+: $1.38956
- 500+: $1.31091
- 1000+: $1.23671
Zwischensummenbetrag $1.56131
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:18 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Вес:187mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6.9A 8.2A
- Количество элементов:2
- Время отключения:23 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®, SyncFET™
- Опубликовано:2005
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Завершение:SMD/SMT
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:27MOhm
- Ток постоянного напряжения - номинальный:30V
- Максимальная потеря мощности:2W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Моментальный ток:8.2A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2W
- Мощность - Макс:900mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:27m Ω @ 6.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:600pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:15nC @ 10V
- Время подъема:4ns
- Время падения (тип):3 ns
- Непрерывный ток стока (ID):8.2A
- Пороговое напряжение:1.9V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):6.9A
- Напряжение пробоя стока к истоку:30V
- Двухпитание напряжения:30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Номинальное Vgs:1.9 V
- Высота:1.5mm
- Длина:5mm
- Ширина:3.99mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 360000
- 1+: $1.56131
- 10+: $1.47294
- 100+: $1.38956
- 500+: $1.31091
- 1000+: $1.23671
Итого $1.56131
аналогичные продукты










