Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
FDMS7602S
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-PowerWDFN
- MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Date Sheet
Lagernummer 121
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Покрытие контактов：Gold
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
- Количество контактов：8
- Вес：211mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A 17A
- Количество элементов：2
- Время отключения：27 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerTrench®
- Код JESD-609：e4
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：7.5MOhm
- Максимальная потеря мощности：2.5W
- Код JESD-30：R-PDSO-N6
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1W
- Сокетная связка：DRAIN SOURCE
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5m Ω @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1750pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：28nC @ 10V
- Время подъема：3.8ns
- Время падения (тип)：3.2 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：17A
- Пороговое напряжение：1.8V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Максимальный импульсный ток вывода：40A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Номинальное Vgs：1.8 V
- Высота：700μm
- Длина：5mm
- Ширина：6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 121
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
