FDMS3600S

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 25V, 40A, POWER56 - More Details
Date Sheet

Lagernummer 157

1+： $1.03915
10+： $0.98033
100+： $0.92484
500+： $0.87249
1000+： $0.82310

Zwischensummenbetrag $1.03915

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：8
Вес：171mg
Количество элементов：2
Время отключения：38 ns
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：7
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Максимальная потеря мощности：1W
Положение терминала：QUAD
Код JESD-30：R-PQFP-N7
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.5W
Сокетная связка：DRAIN SOURCE
Применение транзистора：SWITCHING
Время подъема：5.3ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：25V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Время падения (тип)：3.9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：30A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：15A
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Входной ёмкости：1.68nF
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Сопротивление стока к истоку：1.6mOhm
Rds на макс.：5.6 mΩ
Номинальное Vgs：1.8 V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：90 pF
Высота：1.05mm
Длина：5mm
Ширина：6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 157

1+： $1.03915
10+： $0.98033
100+： $0.92484
500+： $0.87249
1000+： $0.82310

Итого $1.03915

аналогичные продукты

FDMS3600S ON Semiconductor
от$1.039148 Со склада 157
FDMS3602S ON Semiconductor
от$3.035207 Со склада 72
FDMS3620S ON Semiconductor
от$2.784153 Со склада 79999
FDMS3622S ON Semiconductor
от$1.6737921 Со склада 27

Телефон

FDMS3600S