Изображение служит лишь для справки
FDMD85100
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-PowerWDFN
- MOSFET 2N-CH 100V
Date Sheet
Lagernummer 350000
- 1+: $5.39475
- 10+: $5.08939
- 100+: $4.80131
- 500+: $4.52954
- 1000+: $4.27315
Zwischensummenbetrag $5.39475
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerWDFN
- Количество контактов:8
- Вес:94.85095mg
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:2.2W
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:2.2W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Half Bridge)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:9.9m Ω @ 10.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2230pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:31nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100V
- Непрерывный ток стока (ID):10.4A
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 350000
- 1+: $5.39475
- 10+: $5.08939
- 100+: $4.80131
- 500+: $4.52954
- 1000+: $4.27315
Итого $5.39475
аналогичные продукты










