Изображение служит лишь для справки
STS9D8NH3LL
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 30000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:8A 9A
- Количество элементов:2
- Время отключения:18 ns
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:STripFET™
- Код JESD-609:e4
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:22MOhm
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Максимальная потеря мощности:2W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:STS9D8
- Число контактов:8
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:22m Ω @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:857pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:10nC @ 4.5V
- Время подъема:32ns
- Время падения (тип):8.5 ns
- Непрерывный ток стока (ID):9A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):16V
- Максимальный сливовой ток (ID):8A
- Напряжение пробоя стока к истоку:30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):150 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 30000
Итого $0.00000
аналогичные продукты










