BDX34C

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-220-3
TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220AB
Date Sheet

Lagernummer 230

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：750
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
Ток постоянного напряжения - номинальный：-100V
Максимальная потеря мощности：70W
Температура пайки (пиковая) (°C)：240
Моментальный ток：-10A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：BDX34
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：70W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 3A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 6mA, 3A
Частота перехода：3MHz
Максимальное напряжение разрушения：100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：10A
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 230

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BDX34C ON Semiconductor
Запрос Со склада 230
TIP147T ON Semiconductor
от$1.679452 Со склада 88168
TIP147TTU ON Semiconductor
от$1.184059 Со склада 10
BDX54C ON Semiconductor
Запрос Со склада 138

Телефон

BDX34C