TIP111

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-220-3
TRANS NPN DARL 80V 2A TO-220AB
Date Sheet

Lagernummer 30000

1+： $0.42951
10+： $0.40519
100+： $0.38226
500+： $0.36062
1000+： $0.34021

Zwischensummenbetrag $0.42951

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
Диэлектрический пробой напряжение：80V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
Максимальный коллекторный ток (Ic)：2A
Количество элементов：1
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2007
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：80V
Максимальная потеря мощности：2W
Моментальный ток：2A
Основной номер части：TIP11*
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Мощность - Макс：2W
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 1A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：2mA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 8mA, 2A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80V
Максимальное напряжение разрушения：80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：2A
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 30000

1+： $0.42951
10+： $0.40519
100+： $0.38226
500+： $0.36062
1000+： $0.34021

Итого $0.42951

аналогичные продукты

TIP111 ON Semiconductor
от$0.429506 Со склада 30000
TIP111TU ON Semiconductor
от$1.2887478 Со склада 331
TIP112 ON Semiconductor
Запрос Со склада 115417
TIP110 ON Semiconductor
Запрос Со склада 35400

Телефон

TIP111